12:30～13:00 総会参加者のZoom入室時間

13:00～13:30

「特定非営利活動法人日本電磁波エネルギー応用学会　令和4年度定期総会」

　(会員対象行事につき、非会員の方は総会終了時まで接続できません。)

【前半座長：佐藤　進(埼玉工業大学)】

“Preparation of diamond using microwave plasma CVD”

講師１ 坂本幸弘 (千葉工業大学)

講演要旨:マイクロ波プラズマC V Dによるダイヤモンド合成における反応ガスの影響および各種
C V Dによるボロンドープダイヤモンド合成とマイクロ波プラズマC V Dにおける電気抵抗の制御について紹介する。

14:35～14:45 休憩

【後半座長：坂本　幸弘（千葉工業大学）】

講師2 Bob, H. Y. Chen General Manager（Wave Power Technology Inc.）

＊英語―通訳なし

High power microwave has recently been used in cultivating artificial MPCVD diamond, either using a single solid state source or a magnetron source. As higher microwave power is needed, less choice of microwave source is limited by off-the-shelf availability from suppliers if not taking into account the factor of a higher cost. Another inherent drawback with microwave application is the inevitable non-uniformity associated with those parasitic cold spots and hot spots of cavity type applicator. We propose an innovative structure design with power combination of two microwave sources to provide a solution for foregoing ever-present limits in cultivating MPCVD diamond. A higher total microwave power could be fed into process chamber which resides a large area of more uniform microwave distribution. Plasma could be ignited over a large area and stably exists at a vertical position far away from the surface of a typically used quartz window disk. Therefore, it could significantly prevent the quartz window disk from being damaged by unstable plasma in case when MPCVD process is going on.

“Single-crystal diamond synthesis equipment for semiconductor devices”

講師3 小島 芳恭（アリオス株式会社）

講演要旨:我々は高純度ダイヤモンド合成用のマイクロ波プラズマCVD装置を開発している。この装置では、単結晶ダイヤモンドを300μm/h以上の高速で成長することに成功した。最近では、成長速度向上に加え大面積化にも取り組んでいる。

15:40～16:05

「マイクロ波インピーダンス測定法による非接触プラズマリアルタイムモニタリング」